爱思开海力士申请具有堆叠成阶梯的存储器设备的半导体封装件专利，提高半导体封装性能

　　国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有堆叠成阶梯的存储器设备的半导体封装件”的专利，公开号 CN 119277796 A，申请日期为2023年12月。

　　 专利摘要显示，本公开涉及具有堆叠成阶梯的存储器设备的半导体封装件。一种半导体封装件包括：具有结合指的基板；安装在基板上的主存储器芯片；以及堆叠在主存储器芯片上方的从存储器芯片。主存储器芯片包括：邻近主存储器芯片的第一侧边缘设置的主外部焊盘和主内部焊盘；以及邻近主存储器芯片的第二侧边缘设置的主功率焊盘。从存储器芯片包括：邻近从存储器芯片的第一侧边缘设置的从外部焊盘和从内部焊盘；以及邻近从存储器芯片的第二侧边缘设置的从功率焊盘。结合指的一部分通过外部结合接线电连接到主外部焊盘。主内部焊盘通过内部结合接线分别电连接到从内部焊盘，并且从外部焊盘被浮置。